3.采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8v降至1.5v，增加异步重置reset与zq校准功能。
ddr4时代
ddr4内存将会拥有两种规格。其中使用single-endedsignaling信号的ddr4内存其传输速率已经被确认为1.6~3.2gbps，而基于差分信号技术的ddr4内存其传输速率则将可以达到6.4gbps。由于通过一个dram实现两种接口基本上是不可能的，因此ddr4内存将会同时存在基于传统se信号和差分信号的两种规格产品。
根据多位半导体业界相关人员的介绍，ddr4内存将会是single-endedsignaling传统se信号方式differentialsignaling差分信号技术方式并存。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品，因此在ddr4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品